收藏本站
W9725G6KB
11.17 Burst read operation followed by precharge: RL=5 (AL=2, CL=3, BL=4,
t RTP ≤ 2clks)
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CLK/CLK
CMD
Post CAS
READ A
NOP
NOP
NOP
Precharge
NOP
NOP
Bank A
Activate
NOP
DQS,
DQS
AL = 2
AL + BL/2 clks
CL = 3
≥ t RP
DQ's
RL = 5
Dout
A0
Dout
A1
Dout
A2
Dout
A3
≥ t RAS
CL = 3
≥ t RTP
11.18 Burst read operation followed by precharge: RL=6 (AL=2, CL=4, BL=4,
t RTP ≤ 2clks)
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CLK/CLK
CMD
Post CAS
READA
NOP
NOP
NOP
Precharge
NOP
NOP
Bank A
Activate
NOP
DQS,
DQS
AL = 2
AL + BL/2 clks
CL = 4
≥ t RP
DQ's
RL = 6
Dout
A0
Dout
A1
Dout
A2
Dout
A3
≥ t RAS
≥ t RTP
CL = 4
Publication Release Date: Sep. 03, 2012
- 78 -
Revision A03
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
W972GG6JB-3I IC DDR2 SDRAM 2GBITS 84WBGA
W9751G6IB-25 IC DDR2-800 SDRAM 512MB 84-WBGA
W9751G6KB-25 IC DDR2 SDRAM 512MBIT 84WBGA
W9812G6JH-6I IC SDRAM 128MBIT 54TSOPII
W9816G6IH-6I IC SDRAM 16MBIT 50TSOPII
W9825G6JH-6I IC SDRAM 256MBIT 54TSOPII
W9864G6JH-6I IC SDRAM 64MBIT 54TSOPII
WM-5614 CABINET WALL MOUNT 37.25X17.9"
相关代理商/技术参数
W9725G6KB25I TR 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M DDR2-800, X16, IND TEMP
W9725G6KB25K 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:DLL aligns DQ and DQS transitions with clock, Data masks (DM) for write data, Write Data Mask
W9725G6KB-3 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:DLL aligns DQ and DQS transitions with clock, Data masks (DM) for write data, Write Data Mask
W9725G8JB 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:8M ? 4 BANKS ? 8 BIT DDR2 SDRAM
W9725G8JB25 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 256M-Bit 32Mx8 1.8V 60-Pin WBGA
W9725G8JB25I 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 256M-Bit 32Mx8 1.8V 60-Pin WBGA
W9725G8JB25ITR 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M DDR2-800, X8, IND TEMP
W9725G8JB25TR 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M DDR2-800, X8